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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/Fmj5u
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2005/03.04.15.28   (acesso restrito)
Última Atualização2005:03.04.03.00.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2005/03.04.15.28.19
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.28.49 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-12253-PRE/7583
ISSN0022-0248
Chave de CitaçãoFerreiraSittFasc:1996:RoTeBl
TítuloRoom temperature blue electroluminescence from the ZnMgCdSe quaternary system
Ano1996
MêsFeb.
Data de Acesso18 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho320 KiB
2. Contextualização
Autor1 Ferreira, Sukarno O.
2 Sitter, H.
3 Fascinger, W.
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
RevistaJournal of Crystal Growth
Volume159
Número1-4
Páginas640-643
Histórico (UTC)2005-03-04 18:28:20 :: sergio -> administrator ::
2006-09-28 22:37:01 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:50:05 :: sergio -> administrator ::
2018-06-05 01:28:49 :: administrator -> marciana :: 1996
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
ResumoWe report on the growth and photoluminescence (PL) characterization of ZnMgCdSe quaternary quantum wells (QW) imbedded in ZnMgSe barriers containing 35% Mg. The ZnMgSe alloys have been recently suggested as alternative base materials for blue light emitting diodes and it has been shown that ZnCdSe QWs in this material yield sharp and intense PL emissions with energies up to 2.7 eV. In this paper we show that the addition of Mg to the QW leads to an increase of the PL peak energy up to 2.9 eV. Light emitting diodes containing these QWs in the active region have been fabricated and have shown good electrical and optical characteristics. They emit at energies up to 2.8 eV at room temperature under cw operation. The FWHM of the electroluminescence line at room temperature is about 45 meV. This relatively broad emission is in part due to the alloy fluctuation in the quaternary QW but also due to the not optimized crystalline quality of the ZnMgSe barrier layers. A big improvement can be expected by the use of GaAs buffer layers and lattice matched substrates like InGaAs.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Room temperature blue...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvoroom temperature.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
sergio
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft24
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosaffiliation alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn keywords label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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